半導體濺鍍靶材製程技術與薄膜特性

 

刊登日期:2003/1/5
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在國內相關產業(半導體產業、光碟產業及平面顯示器產業)不斷成長及相關研究機構的投入之下,近兩年來,「濺鍍靶材(Sputtering Targets)」似乎已經成為一個在國內金屬相關產業極為熱門且廣被討論的名詞。靶材的Grain Size、Orientation、Purity、Multiple-phase等特性會反應到薄膜的品質上,當這些鍍膜品質之要求在反應到濺鍍靶時,即濺鍍靶材料之微觀組織及其化學純度,一般而言,結晶組織的方向對薄膜特性的影響已經被證實,甚至其濺鍍靶材之晶粒大小(Grain Size)也必須受到控制。但是以粉末熱壓製成靶材的晶粒排列無方向性,Grain Size對均勻性的影響變得不明顯,而且由細粉末熱壓的濺鍍靶,因為表面積比粗粉靶來得大,存在於細粉靶內的介在物和表面氧化的情況都會比粗粉靶來得嚴重,對薄膜的品質反而有不利的影響。
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