近幾年來，矽鍺/矽異質接面元件異軍突起，自1988年第一篇關於矽鍺電晶體元件之研究發表以來，矽鍺電晶體元件在製程技術與特性上就不斷的發展與進步，由於矽鍺元件具異質接面結構及與CMOS矽元件在製程上相容的優點，所以不僅具有矽元件的低成本，而且有其異質接面的高效能。矽鍺不僅在高頻的領域可戰勝矽，在低成本上更可戰勝砷化鎵。目前研究最多且最久者屬矽鍺異質接面電晶體，由於矽鍺/矽異質接面的應變工程與能隙材工程之材料特性，使其在場效電晶體與光電元件上也有不錯的應用與發展。因此，本文特就筆者熟知的部份，分三個方面介紹矽鍺電晶體的基本原理與應用，分別為矽鍺異質接面電晶體、矽鍺場效電晶體與矽鍺光電元件。希望藉由本文，讓大家對此領域有進一步的認識。