單電子電晶體開創了一個嶄新的研究領域，讓我們能用一個巨觀的系統觀測並控制單一個電子的行動。雖然此一領域發展的時間相當短，但是不論在基礎研究或應用領域都有突破性的進展。因此，在這個要求體積小、消耗功率小的電子元件的時代，預期單電子電晶體將成為21世紀最重要的奈米電子元件之一。本文將介紹利用庫倫阻斷(Coulomb Blockade)及穿隧(Tunneling)等量子效應來操作單電子電晶體之基本原理，並介紹本實驗室利用符合現今超大型積體電路製程之電子束微影多層對準直寫技術、氧化製程特性，乾、濕式蝕刻方式所製作之矽基單電子電晶體。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 奈米電子元件 矽鍺異質接面雙極性電晶體之製程技術發展 矽鍺電晶體 奈米碳管電晶體的最新發展狀況 單電子電晶體 熱門閱讀 鋰電池材料最新發展趨勢(上) 從IDW 2019看「OLED」、「QLED」與「microLED」的發展(上) 超薄均熱板之技術與發展趨勢 全球生物循環經濟的技術與其應用發展(上) 高分子發泡技術及市場發展(上) 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 名揚翻譯有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 翹慧事業股份有限公司 東海青科技股份有限公司 志宸科技有限公司 山衛科技股份有限公司 金屬3D列印服務平台 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司