本文討論光放射光譜(Optical Emission Spectroscopy; OES)之原理和電漿製程監測之應用。OES技術為一種非侵入式量測，適合電漿之診斷。藉由收光器將電漿內受激原子、離子、分子之放光訊號聚焦到光纖頭，然後將光由光纖導入光譜儀中，由光譜儀分析電漿放光光譜之譜線與強度，一般光譜範圍(200~850nm)，藉由資料庫之比對，可確認譜線所對應化學成份(Species)，除可量測原子譜線(e.g. Ar 、Hα 、Hβ)，還可觀察到雙原子分子（e.g. N2 、自由基CH、CN）之譜線，由於自由基大多在化學反應中以反應中間物(Intermediate)形式存在，對化學反應扮演重要角色，所以診斷(Diagnosis)電漿放光光譜可提供訊息以瞭解製程之中間反應。此外，不同製程方法與前驅物(Precursor)成份濃度，其電漿放光光譜皆不同，故可視為是製程指紋(Fingerprint)，作為製程監控之依據。本文介紹數個電漿之監測實例，包括PECVD 、PVD 之應用，藉以說明從OES 診斷電漿中，協助製程之瞭解，以期尋求改進之途徑。此外， OES 之即時(Real-time)監測對製程監控之重要性亦舉例說明。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 應用奈米壓痕量測技術於薄膜之機械性質量測 新世代場發射穿透式電子顯微鏡應用在工研院奈米檢測研究之概況(上) 操控奈米世界的眼睛及手指─奈米平台技術 2016 FINETECH JAPAN /高功能材料展 Live報導系列一 有機薄膜電晶體微結構分析技術開發 熱門閱讀 從 Battery Japan 2024看鋰電池與儲能產業發展 半導體產業廢硫酸純化再利用 加氫站加氫協定之研究與未來發展趨勢 歐盟新電池法生效推動循環經濟與永續發展 化合物半導體材料市場與應用導論 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 廣融貿易有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司