日本三菱電機與東京大學於日前發表了一項讓碳化矽(SiC)功率半導體元件不易受電磁雜訊影響之動作原理。研究團隊透過在閘極氧化層(Gate Oxide)與SiC之間的界面下添加硫黃元素，讓電流通路內的一部份電子被硫黃元素捕獲，在元件電阻不會增大的狀態下，提高了開關動作開始時的控制電壓，使其不易受到電磁雜訊的影響。
此次的研究由三菱電機進行元件的設計、製造，東京大學則以開發的裝置進行電阻評估實驗。今後三菱電機計畫將以研究成果為基礎，展開碳化矽金氧半場效電晶體(SiC-MOSFET)的設計與試作。將動作開始時的控制電壓提高，將可促進提高電力電子機器的可靠性，且可望普及擴大於汽車、產業機器、家電、鐵道、電力等各領域之應用。