本文介紹P-GaN之進展，其中包括用Mg及其他元素，例如Si、O或Zn同時做雜質時之影響，並討論熱處理時用不同周邊氣體，例如N2 、O2 及空氣之影響，一步驟及兩步驟熱處理之比較，以及新的熱處理方法用不同能源，例如微波、CO2雷射以及RF等方法之同異點，並討論熱處理溫度對P-GaN 性質之影響。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 全球LED元件市場發展趨勢 京瓷開發出GaN系微光源基板與新工法，實現100μm長雷射振盪 電動車時代Mini LED孰與爭鋒 廣島大學開發世界第一款利用稻殼製作的LED 抗冰—2025電動車時代不可忽視的問題 熱門閱讀 從2026日本奈米展看材料發展 功率半導體元件與散熱技術 高純鎵金屬循環回收技術—從二次資源提取純化到產業應用 民生用廢塑膠容器智慧辨識與分選技術之發展與實場應用 寬能隙功率半導體封裝之結構設計與互連技術挑戰 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司