日本京瓷(KYOCERA)發表利用製作GaN系微小光源的矽(Si)做為基材，開發了一項獨特基板與其製造工法，且實現了100 μm長雷射振盪，同時亦為世界首例。
短雷射共振器與微型LED是邊長為100 μm以下的微型光源，由於具有高精細、小型輕量等特性，漸受應用於次世代車載顯示器、智慧眼鏡、通訊、醫療等領域。然而在製造LED、雷射等的GaN光源時，存在了製程中微小元件與基板的分離極其困難、缺陷密度高導致品質不均等問題。此外，使用藍寶石基板的製法有高製造成本高的問題，而在使用較便宜的Si基板時，則有元件層難以剝離的問題。
京瓷此次開發的工法是在能以低成本製作大直徑的Si基板上生長GaN層，並利用不會成長GaN層的材料進行覆蓋遮蔽(Masking)，且在中央處製作開口。當GaN層成膜之後，GaN生長核在開口部位上成長，接著透過橫向成膜，可以沉積缺陷密度降低的高品質GaN層，並可在此低缺陷區域製造元件。此方法利用了不允許GaN層生長的覆蓋材料，因此易於剝離，且因使用了Si基板，故可降低製造成本。京瓷計畫將此次開發的微型光源用平台技術(基板與製程技術)投入各領域應用，並將在近期推出高品質、低成本之微型光源。