日本的Porous Techno公司開發出新款抑制雜訊的薄膜，只要貼附於半導體元件或線材的表面，即可抑制放射雜訊。該薄膜可對應2~4GHz之主要的雜訊頻率，各有30Db以上的衰減能力，目前正在開發適用於毫米波雷達及第五代行動通訊系統(5G)等高頻率用規格的產品。
一般薄膜覆蓋於主機板，因此尺寸較大，以致於反射衰減導致機板的雜訊環境惡化，是一項待解的課題。該公司的Super-R知能材系列，這次推出新等級的產品。該材料係以PET作為基材，搭配孔洞加工與金屬蒸鍍技術而成，並實現過往無法達成的技術，也就是可選擇頻寬吸收雜訊。該薄膜厚度為100μm以下，重量50g/平方公尺以下，不但輕薄且兼備耐熱性與柔軟性。再者，新製品可從元件本體抑制放射雜訊，因此不會有反射所帶來的不良影響，加上可減少薄膜的用量，有助於電子迴路的設計變更與零件整合化，可望藉此大幅促進小型化或輕量化。