近幾年來，藍光LED發明一直都是諾貝爾獎評選的熱門項目，2014年終於如願出現獲獎，共有三位學者獲得諾貝爾物理學獎的殊榮，分別是日本名城大學赤崎勇教授、名古屋大學天野浩教授、美國 California Santa Barbara大學中村修二教授等。天野教授出身於赤崎教授的研究室，兩人具有師徒關係。另一方面，中村教授過去於藍光 LED即將量產的時間點，曾經任職日亞化學，三位學者分別進行著藍光LED的研究工作。
藍光LED於照明之應用
除了藍光 LED之外，尚有紅光與綠光等其他光色的 LED產品。不過為什麼本屆諾貝爾獎的授獎項目是藍光 LED呢？主要是隨著 LED的高亮度發展，白光 LED可以順利應用在液晶顯示器背光模組與其他照明機器上。而使用藍光 LED可獲致白色發光的新方法，因LED光源的問世，而有了較傳統光源更長壽命且高效率的光源。
一般的白光 LED係由藍光 LED搭配螢光體組合製作而成。白光 LED相較於白熾燈泡與螢光燈等傳統照明機器，除了具有高效率與長使用壽命之優點外，尚具備可大幅降低環境負荷等特性。在全球消耗電力當中約有 1/4用作照明用途，由此可知白光 LED將能為社會帶來極大的節能效果。
GaN一開始並不受青睞
赤崎教授、天野教授與中村教授等三位究竟是以甚麼樣的研究發明來與藍光 LED結合，終致獲得諾貝爾物理獎呢？由藍光 LED關鍵材料 GaN (氮化鎵)系半導體研究者的意見，可將獲獎原因整理如下。
首先，三位學者的共通之處在於皆透過 GaN 系半導體成功實現藍光 LED。過去，在藍光 LED尚未問世的時代，於材料方面有 ZeSe 與 SiC等候補選項，在當時，GaN 一點都不受青睞，反而是ZeSe與SiC材料的研發受到相當矚目。當時GaN不受青睞的原因在於 GaN不容易做出高品質的結晶，且無法製作出 LED必須的 p型，因藍寶石基板與 GaN 晶格常數約有 10%不一致，故不容易在藍寶石基板上製作出優質的GaN 結晶。且針對 p型 GaN，赤崎教授於當時也表示「當時並無法在同等於 GaN 般大能隙的半導體上製作 p型 GaN」。
試作出 pn接合型藍光LED
1986年，赤崎教授與當時在同研究室的天野教授，共同在藍寶石基板上先以低溫條件設置AIN緩衝層，之後在緩衝層上成功地製作出GaN結晶(圖一)一舉顛覆大眾常識。回憶起當時的研發經過，赤崎教授表示「不知道出現幾千幾百次的磨砂玻璃狀的骯髒結晶，最初還以為是原料從機台中流出來的，最後發現那是形狀漂亮的結晶時的瞬間，那份感動真是無法言喻」。
圖一、赤崎教授與天野教授提出p型GaN，中村博士提出InGan發光層結構
接下來，赤崎教授與天野教授於 1989年成功製作出 p型 GaN。p型 GaN主要摻混了 Mg，並照射電子線。天野教授表示，研究之初原本採用添加別種的不純物質，但無意間從某教科書中得到啟發，試著添加 Mg，終於成功製作出 p型 GaN。
另外，也在 1989年實現了 pn接合型的藍光 LED。針對當時的研發成果，赤崎教授表示，雖然與現在的藍光 LED相比黯淡很多，但在當時也稱得上是全球最高的發光效率---以上為部分節錄資料，完整內容請見下方檔案。
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