利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體，與現有傳統的CMOS元件相比，具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性，其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外，其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準，這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 單電子電晶體 奈米電子元件 線幅50奈米SRAM試作成功 運用奈米科技可望打破矽元件尺寸 奈米固態物理應用的建立 熱門閱讀 先進半導體構裝之封裝與IC載板材料市場趨勢 日本2050「碳中和」發展規劃 — 氫能、風電篇 疫情後，塑膠循環再利用之發展方向 6G通訊酬載無線通訊之散熱技術趨勢 先進封裝之互聯材料技術 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 昂筠國際股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 東海青科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司