利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體，與現有傳統的CMOS元件相比，具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性，其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外，其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準，這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 單電子電晶體 奈米電子元件 線幅50奈米SRAM試作成功 運用奈米科技可望打破矽元件尺寸 奈米固態物理應用的建立 熱門閱讀 NEPCON JAPAN 2020 日本東京特別報導系列一 從日本10th Highly-Functional Materials Week國際展看先進材料發展趨勢(一) NEPCON JAPAN 2020 日本東京特別報導系列二 全球燃料電池技術與廠商發展趨勢 NEPCON JAPAN 2020 日本東京特別報導系列三 相關廠商 大東樹脂化學股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 翹慧事業股份有限公司 東海青科技股份有限公司 志宸科技有限公司 山衛科技股份有限公司 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司