單電子電晶體

 

刊登日期:2002/2/5
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利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體,與現有傳統的CMOS元件相比,具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性,其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外,其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準,這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。
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