利用Coulomb Blockade 及Tunneling 等量子效應來操作的單電子電晶體，與現有傳統的CMOS元件相比，具有Low power 、Low Leakage 、High Density Integration 、High Accuracy 的特性，其簡單的結構與製程易於與CMOS 結合。除了一般傳統的電路與記憶體的應用外，其特有的性質可用來制定電流及電容的量子標準，這是其他方法所無法達成的。另外其量子效應提供了新式量子運算架構實現的可能性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 單電子電晶體 奈米電子元件 線幅50奈米SRAM試作成功 運用奈米科技可望打破矽元件尺寸 奈米固態物理應用的建立 熱門閱讀 2,5-呋喃二甲酸之製程技術及應用 5G用絕緣增層材料發展趨勢 聚醯亞胺(PI)樹脂的發展 高機能有機微粉體材料技術與應用 奈米孔洞材料於生物抗腐蝕之應用 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 昂筠國際股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 東海青科技股份有限公司 華錦光電科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司 友德國際股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 誠企企業股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司