單電子電晶體開創了一個嶄新的研究領域，讓我們能用一個巨觀的系統觀測並控制單一個電子的行動。雖然此一領域發展的時間相當短，但是不論在基礎研究或應用領域都有突破性的進展。因此，在這個要求體積小、消耗功率小的電子元件的時代，預期單電子電晶體將成為21世紀最重要的奈米電子元件之一。本文將介紹利用庫倫阻斷(Coulomb Blockade)及穿隧(Tunneling)等量子效應來操作單電子電晶體之基本原理，並介紹本實驗室利用符合現今超大型積體電路製程之電子束微影多層對準直寫技術、氧化製程特性，乾、濕式蝕刻方式所製作之矽基單電子電晶體。 Download檔案下載 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 奈米電子元件 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(下) 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(上) 矽鍺異質接面雙極性電晶體之製程技術發展 矽鍺電晶體 熱門閱讀 半導體用抗反射層材料 半導體用光酸材料技術 「10分鐘內」超急速充電技術進展有成，全固態電池最受青睞 半導體用高解析光阻劑 淺談3D列印陶瓷 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司