日本島根大學與高知工科大學成功地在低溫(～300℃)條件下將固相結晶化的氫化多晶氧化銦(In2O3:H)薄膜轉移至半導體上，並實證用氧化物半導體薄膜電晶體(TFT)呈現世界上最高的電場效應遷移率139.2cm2V-1s-1。
與非晶矽相比，具代表性的氧化物半導體–非晶質InGaZnO(IGZO)具有更高的電場效應遷移率(～10cm2V-1s-1)、極低的漏電流及優異的大面積均一性等特性，在次世代顯示器、積體電路等用途的相關研究活躍，逐步趨向於實用化。
然而在與多晶矽(～100cm2V-1s-1)的比較之下，或是為了擴大氧化物半導體的應用範圍，也因此有更高性能(高遷移率)的需求。另一方面，利用具有高遷移率(～130cm2V-1s-1)的多晶氧化銦做為太陽電池窗口層(透明導電膜)的相關研究興盛，但由於顯示出金屬導電性，其做為半導體的用途受到限制。
此次研究團隊在控制氫濃度的多晶In2O3:H薄膜中，實現了低溫(～300℃)條件下可確認到晶格影像的優異結晶性，並發現了從金屬傳導到半導體傳導的載子濃度控制方法，藉此將可開拓高遷移率氧化物半導體元件應用的可能性。此外，由於In2O3:H呈現透明且可低溫合成，將可望促進次世代顯示器或半導體記憶體的高性能化、低功耗化，並有助於透明可撓性元件的開發。