矽鍺異質接面雙極性電晶體隨著微波特性的改進與元件製造技術的成熟,已逐漸應用於通訊網路之射頻電路中,又因與CMOS技術間的高度整合性,而成為單一晶片系統(System-on-a-chip)的解決方案之一。本文將介紹矽鍺異質接面雙極性電晶體的基本原理,以及元件的基極與集極之設計方法;同時,針對矽鍺磊晶技術整合於矽雙極性電晶體製程中的方法與可能遭遇之問題,提出一個簡略的說明;最後討論矽鍺BiCMOS之製程技術。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 矽鍺電晶體 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(下) 矽基奈米元件性能提升之鑰—SiGe應力工程(上) 全球首度以非晶矽製造之高效率N型有機電晶體 單電子電晶體 熱門閱讀 國際固態電路大會 ISSCC 2025:半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討(... IEDM 2024前瞻:鐵電記憶體技術發展與半導體趨勢解析 海洋碳捕獲崛起,更有效率且可望轉換出新經濟價值 由2025 NEPCON Japan看低碳樹脂材料與印刷電路板製程技術與應用 日本綜合化學品製造商聚焦EUV,展望半導體材料領域 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司