現今封裝結構的趨勢為輕薄短小，不僅是在體積上大幅的縮小，相對地在電性上也有改善的空間，而在功率模組上也走向Power SiP(System in Package)的封裝結構。本文即針對內埋式的功率模組進行結構設計與電性模擬，以600V/20A的IGBT與Diode為規格，內埋入兩顆IGBT與兩顆Diode功率元件，形成一個半橋式的功率模組，將可運用於PV Inverter最後輸出的功率轉換部分，以降低原始電路設計的寄生電阻與電感，更增進系統的效率。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 先進封裝之互聯材料技術 系統級封裝(SiP)架構設計與製程翹曲模擬分析 智聯網對於系統級封裝的影響 內埋式功率模組封裝技術(下) 3D ICs設備零組件與生產力4.0發展趨勢(下) 熱門閱讀 Micro LED量產技術、材料與市場展望 AI系統節能減碳的推手—GaN功率元件(上) 數據驅動熱塑性彈性體數位設計 量子點墨水材料技術 從ISPSD 2024看功率元件領域發展趨勢(上) 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司