奈米尺度細線路圖案化技術介紹(下)

 

刊登日期:2011/10/5
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奈米尺度細線路圖案化技術是一相當重要的平台技術,不僅半導體產業有此需求,為了提高容量和精密度,舉凡儲存媒體、感測元件、次波長光學元件等,都希望能朝向奈米尺度的設計和製造。本文介紹國際半導體技術(ITRS)藍圖中列出的兩個極具潛力的細線路圖案化技術,包括奈米壓印(Nanoimprint Lithography; NIL)和定向自組裝(Directed Self-assembly; DSA),目前已吸引學術界和業界紛紛投入研究。本文中亦提到將奈米壓印與定向自組裝結合,開發出一種更具量產潛力的技術,其後續發展值得關注。


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