以DLC介面及鑽銅基材製造大功率的垂直LED

 

刊登日期:2011/1/5
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2010年全球LED產值(約百億美元)幾乎追近台積電一年的銷售額。許多重量級的大公司(如台積電、鴻海、友達等)也將跳進這片光海。然而中國卻早有布局,使2012 年成為傳統LED的總決戰(Armageddon)年,而最後獲勝的將會是中國。中國不僅掌握市場,更布局近千台的MOCVD機海,因此可抓住LED的上、中、下游產業。有鑑於此,CREE、晶電、璨圓、新世紀、旭明光電等LED磊晶生產的領頭羊已紛紛進駐中國。美國、日本及台灣LED磊晶公司的生存之道就是把傳統的水平LED設計升級成垂直式LED,這樣才能在大面積的晶片上加大電流(如單晶片10W),而以一顆LED 的生產成本取代多顆的傳統LED 。

垂直LED的製作必須把GaN半導體軟銲在低膨脹率的基材上,但低膨脹率材料(如矽或GuW)的散熱不佳,而高導熱材料的熱膨脹卻遠大於GaN(約5.5ppm/mK),因此LED 專家找不到理想的銜接材料。本文以DLC 為介面而鑽石和銅的複合材料(鑽石散熱片)為基材製作全世界最先進的垂直LED 。這樣可以讓台灣LED 的產業蛙跳超前國外的主導公司(如Nichia 、Osram 、Lumiled),順勢擺脫歐、美、日對台灣的專利封鎖。


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