製造多孔質半導體氧化物薄膜的新技術

 

刊登日期:2010/10/19
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產業技術綜合研究所研發出奈米尺寸多孔質半導體氧化物薄膜的製作技術,新技術係利用簡單方法,即可製作出具備直徑50奈米多數微孔(Microporous)多孔質薄膜。以往的技術除了必須使用複雜的製程之外,還無法形成品質優良的微孔多孔質成品。利用新技術所製作出的薄膜,可應用在太陽電池及氣體感測器等光電轉換元件之電極材料,目前正與TOTO公司合作共同進行研發。

新技術係於溶媒中使用聚苯乙烯系界面活性劑,將該界面活性劑混在溶媒中,再與作為半導體氧化物前驅體的metal-oxo溶解。將該溶液滴在基板上,使基板高速旋轉,將溶媒去除。在去除球狀集合體時,則採用燒結方式。利用上述技術,除了可得到比以往孔徑較小的微孔之外,還可取得很多開孔的多孔質結構。透過該技術應用在氧化鈦及氧化錫,便可成功製作出具代表性的半導體氧化物的微孔薄膜。將該薄膜作為半導體氧化物,再施加電特性,即具有可由孔洞中取出分子的特性,利用該特性將有助於新元件的研發。


資料來源: 日刊工業新聞 / 材料世界網編譯
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