日本名古屋工業大學岩本雄二教授等人與產業技術總合研究所合作研發出以微波加熱方式快速、省能源地合成高純度SiC的新技術。合成20公克的SiC只要30分鐘左右。與傳統使用電爐加熱法比較，所花時間僅及1/5。
新技術利用了改良自市售的微波加熱裝置。將碳與矽微粉末混合而成的原料照射微波，加熱使其產生反應即可合成SiC。為使SiC易於合成，粉末及裝盛混合物的容器都選擇容易吸收微波的材質，藉此提升能源效率進而達到快速合成SiC的成果。
高純度SiC的合成以往主要採電爐加熱方式，但是此種方式因為要把爐體一起加熱，所以合成時間要花2-3小時，同時消耗了大量的能源。微波方式是針對要合成的物體本身來加熱，所以可節省時間及能源。
SiC常被應用在研磨材料或是DPF上，而高純度SiC則被視為次世代半導體材料而受矚目，因此大家致力研究其合成法。岩本教授今後會致力於增加合成量的研究，也期待轉移技術給企業界。