東京工業大學細野秀雄教授等人將氧化物半導體的互補式金屬氧化層半導體(CMOS)迴路的實現結合，開發了氧化物半導體pn結型二極體。使用氧化錫，成功地將氧化物半導體的電氣傳導性由ｐ型變化成ｎ型。若是實現了氧化物半導體的CMOS，即可應用在透明面板以及太陽電池等，且將在17日於東海大學召開的「應用物理學關係聯合演講會」中發表。
細野教授等人於2008年成功製作了使用氧化錫的p型氧化物半導體，此次因添加了雜質而發現可以控制p型轉化成n型，進而試製了氧化錫製的pn結型二極體。
氧化物半導體可於室溫下製作，且擁有非晶矽的10被以上性能。現在ｎ型則被採用作於液晶面板及有機電激發光(EL)面板的驅動材料上。另一方面，由於p型製作困難，氧化錫所製半導體可稱是目前最好性能之半導體。由此次的成果來說，由n型與p型可使用同一材料製作看來，距離氧化物半導體之CMOS的實現已近。
因CMOS迴路為低消費電力且低成本，集合感測器等多功能之面板或是可摺可彎式電腦等等發展是可期的。