日本NTT先進科技公司(NTT Advanced Technology Corporation，以下簡稱NTT-AT)日前發表擴大製造高性能電子裝置之氮化鎵（GaN）系磊晶矽晶圓(Epitaxial Wafer)產能，正式委託三菱化學開始進行代工生產。
在網路無所不在(ubiquitous network)的時代中，為使其所需之超高速、大容量的無線通訊系統達到實用化目標，電力提升等高頻運作之高性能電子裝置便不可或缺。此外，在面臨電子儀器節能化、小型化之必要課題下，耐高溫且低耗電的電壓轉換元素－氮化鎵系電子裝置便受到了大眾矚目。而其中氮化鎵磊晶矽晶圓為關鍵材料，對於高性能電子裝置的開發及促進普及方面有著顯著的貢獻，對於能夠建立穩定供給之生產體制的期盼也越加強烈。
NTT-AT根據NTT研究所開發的氮化鎵系磊晶矽晶圓基礎技術，提供符合客戶要求的客製化服務，自2005年起便已開始此晶圓之生產與銷售。為了能夠迅速反應預期中的市場擴大，以確保充分的產能為目的，便委託三菱化學代工生產。三菱化學擁有MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)機台與LED製造用晶圓的量產技術，同時融合NTT-AT的製造Know-how，確立了電子裝置晶圓的量產體制。此外，兩家企業為了提高氮化鎵電子裝置之性能，對於三菱化學所製造販售之白色LED用零件的氮化鎵以及做為底層基板的氮化鎵磊晶矽晶圓應用於電子裝置方面，共同進行必要的研究開發。