本研究運用線上光學檢測系統，於電漿輔助化學氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)非晶矽膜之準分子雷射正面退火(Excimer Laser Annealing; ELA)與背面退火再結晶特性研究。研究發現，厚度90 nm 之非晶矽膜於準分子雷射正面與背面退火矽膜最長熔化時間(Melt Duration)均為350 ns。矽膜剝落之準分子雷射能量密度，準分子雷射正面退火方法高於準分子雷射背面退火方法，主要原因為SiO2膜對於準分子雷射具備抗反射效果。當矽膜達到全部熔化時，線上光學檢測系統發現，在準分子雷射正面與背面退火方法中，液態矽均從玻璃側朝矽膜表面凝固，並於超級橫向成長區域(Super Lateral Growth; SLG)具備相同再結晶機制。