隨著積體電路晶片，例如高亮度發光二極體和中央處理器等，因為高時脈、高功率、和/或IC晶片尺寸縮小化等發展趨勢，內部裸晶片的熱流量越來越高，如何在不大幅變更現有構裝材料與製程的成本考量下，使晶片運作溫度不會超過其溫度上限，成為一重要的技術。從成本效益觀點，研發高導熱、低熱阻抗之熱界面材料，以降低晶片的熱阻，是最適宜的選項，其中又以相對於高分子化合物具有優越的熱傳導率，同時兼具有熱熔相變態、優異的界面微孔隙填補特性的低熔點合金(Low Melting Alloy; LMA)在第二階界面材料的研發與應用，成為近年熱界面材料研發的趨勢。然而低熔點合金應用於第二階界面散熱，必須妥善解決幾個關鍵議題，例如熱熔液相自界面溢漏，以及現有組成符合RoHS 、熔點60°C 的In-Bi-Sn 共晶合金的相變態溫度不夠低。工研院近年在技術研發方向上已針對前述的關鍵問題取得成果與因應方案。