由名古屋大學等機構組成的先端國際共同研究推進事業(ASPIRE)國際共同研究團隊，開發出在維持薄膜p型氮化鎵（p型GaN）表面平坦度的同時，形成低電阻歐姆接觸的技術。GaN屬於寬能隙半導體，應用於光電元件、功率元件與高頻元件等領域，若要降低元件工作電壓、提高效率，就必須在p型GaN與金屬電極之間形成低電阻的歐姆接觸。本次研究團隊利用射頻濺鍍，形成厚度8 ~ 9 nm的鎂金屬膜，在不設置覆蓋層的條件下，實施600℃、5分鐘的軟退火，透過減少鎂用量與受熱量的方式，成功在維持平坦度的同時，於表面形成高濃度鎂摻雜層，並透過鎂表面濃度與價帶頂端位置偏移的狀況，確認能帶彎曲確實有所改變，降低了金屬/p型GaN界面的電洞注入障壁。
比較本次製程與50 nm膜厚的傳統退火製程，發現較薄的濺鍍厚度可以維持表面平坦度，顯示鎂膜厚度是抑制表面粗糙度的重要因素，並發現50 nm膜厚傳統退火條件下，片電阻增加至30倍，推測是鎂與GaN發生反應，導致表面粗化，同時造成電學特性大幅劣化。另外，軟退火也改善了準垂直型p-i-n二極體的順向電洞注入特性，並在逆向特性方面，達成超過800 V的崩潰電壓，相當於估計峰值電場約2 MV/cm，同時也未觀察到逆向漏電流增加。上述結果證實，研究團隊開發的方法能在維持薄膜p型GaN層表面平坦度、載子傳輸特性，以及高崩潰電壓的同時，形成低電阻的歐姆接觸。