日本Patentix成功實現以金紅石型(Rutile)二氧化鍺(r-GeO2)製作的空乏型(Depletion-mode)（常開型(Normally-on)）MOSFET之動作驗證。基於此成果，未來將進一步建立p型r-GeO2的製作技術，並推動增強型（常關型(Normally-off)）MOSFET的開發。
此前Patentix已建立以銻(Sb)做為n型摻雜的不純物添加技術，成功掌握n型r-GeO2的成膜與導電性控制方法，並透過n+層實現歐姆接觸，同時也完成n-層的蕭特基障壁二極體(SBD)動作驗證。此次研究以既有成膜技術為基礎，試作僅由n型r-GeO2構成的空乏型MOSFET，並進行電晶體特性評估。元件結構方面，在金紅石型二氧化鈦(r-TiO2)基板上，先形成摻雜r-GeO2電流阻擋層，其上依序堆疊厚度約160 nm的Sb摻雜n-型通道層，以及源極/汲極n+層。閘極氧化層採用厚度75 nm的SiO2，電極則使用Pt/Ti材料。
在此結構中，施加負閘極電壓時，會於閘極絕緣層下方形成並延伸空乏層，進而阻斷汲極與源極之間的電流通道，使元件關閉。量測結果顯示，該r-GeO2 MOSFET之汲極電流(ID)可隨閘極電壓(VG)變化，達到超過5個數量級的開關比(on/off ratio)。另已確認在負閘極電壓下可關閉電流，驗證其作為空乏型電晶體的正常運作。此外，由ID-VD特性可觀察到，隨汲極電壓上升，元件行為由線性區轉為飽和區，展現典型MOSFET特性。