日本Novel Crystal Technology開發了一項可將氧化鎵晶圓製造成本降低至原有約10分之1的全新長晶技術。新技術透過改善加熱方式與原料供給方法，大幅削減一般長晶法中所需之貴金屬銥(Iridium)的使用量，與過往限邊饋膜生長(Edge-defined Film-fed Growth; EFG)法相比，具有成本優勢。Novel Crystal Technology成功在不使用銥製坩堝的情況下，培育出直徑95 mm的β型氧化鎵(β-Ga₂O₃)單晶，並將新方法命名為Drop-fed Growth法。目前已在日本與海外提出專利申請，並持續推進權利化作業。依據量產規劃，Novel Crystal Technology預計於2029年開始出貨150 mm（6吋）晶圓，並於2035年推出200 mm（8吋）晶圓。
傳統的EFG法由於氧化鎵原料的熔點高達約1,800℃，必須使用耐高溫且價格昂貴的銥製坩堝，導致製造成本居高不下。相較之下，Drop-fed Growth法採用將熔融原料以「液滴」方式滴落於晶體表面並促進成長的機制，因此無須使用銥製坩堝，有效降低材料成本並提升製程經濟性。β型氧化鎵因具備優異的耐高電壓特性，可望成為次世代功率半導體材料而受矚目。其應用領域涵蓋家電產品、工業設備、電動車(EV)及鐵道車輛等高功率與高效率需求的系統，未來市場潛力可期。