日本Noritake開發了一項適用於玻璃貫通導孔(TGV)的銀漿材料。新產品透過獨家的配方設計與粒子分散技術，大幅提高銀粒子的含量，使其電阻值達到與一般銅電鍍技術相當的水準。
在先進半導體領域備受關注的3D封裝技術中，通常會在半導體晶片與印刷電路板之間配置核心基板，並透過貫通導孔形成配線以連接兩者。高效能半導體於運作時所產生的熱量最高可達約300℃，既有樹脂基板在此條件下可能會產生翹曲或劣化問題。因此，近年來業界開始評估將高耐熱玻璃作為核心基板材料的可行性。
針對在玻璃基板貫通導孔中形成配線的TGV技術，目前銅電鍍方式為業界廣泛採用的方法，但此方法仍有製程時間冗長，且在導孔內部容易產生裂紋(Crack)等課題。Noritake此次開發的銀漿，透過可承受半導體運作時溫度變化的材料組成與先進粒子分散技術，能有效抑制裂紋的產生，提升TGV配線的可靠性。
新開發的銀漿可直接填充於玻璃貫通導孔中，並經燒結形成配線，因此無須進行電鍍前所需的前處理工程。藉由省略多道前處理與電鍍製程，整體配線作業時間可縮短至既有方法的5分之1，可望有助於大幅提升製程效率。