日本住友金屬鑛山開發了一項粒徑100 nm 之「耐氧化奈米銅粉」，可望應用於碳化矽(SiC)等次世代功率半導體的接合材料用途。目前已計畫於2026年度開始量產。接合材料為連接半導體基板之間或晶片與基板之間的重要材料。
目前逐步實現量產的SiC以及研究開發持續推進的氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體，由於高電壓與大電流驅動，其工作溫度往往超過200℃。因此接合材料必須具備優異的熱安定性與散熱性，目前主要使用由銀粉與溶劑混合而成的材料。相較之下，銅類接合材料雖具有高於銀的熔點與導熱率，並能降低成本，但因易於氧化、在大氣中難以處理的特性，故仍有技術課題待解決。
住友金屬鑛山開發的耐氧化奈米銅粉不僅在大氣環境下容易操作，且具備約在200℃即可展開燒結的低溫燒結性、均勻的粒徑分佈等特徵，目前已展開SiC接合的應用評估。除了次世代功率半導體的接合材料之外，另可望應用於電子基板、太陽能電池配線材料等各類用途。