日本JSR相繼開發出可實現低介電常數、低熱膨脹係數(低CTE)、高散熱性之半導體基板材料。低介電架橋劑「ELPAC PJ系列」可以在保持低介電性的同時提高基材的玻璃轉換溫度(Tg)並降低CTE，可望適用於低翹曲需求之半導體封裝基板等用途。
「ELPAC AD系列」則是可實現金屬等無機物之高密著性與高分散性的樹脂。「ELPAC AD系列」與填料具有良好的相容性，即使提高低CTE填料的濃度，黏度也不會增加，進而製造出具有優異加工性能的低CTE基材。另在散熱基板用途可實現氮化硼等散熱填料的高填充化。此外，「ELPAC AD系列」對於銅箔具有高附密著性的優點。
另一項已開始量產的低介電樹脂「ELPAC HC-G系列」為芳香族聚醚樹脂，目前有高密著型HC-G0037與高Tg型HC-G0024兩種類型，兩者均表現出約0.001的低介電損耗。路由器、交換器、伺服器等使用的高速通訊用印刷電路板具有介電損耗0.002以下的需求，但既有聚苯醚(PPE)無法達到此數值。而「ELPAC HC-G系列」具有優異的性能平衡表現，可望取代PPE擴大採用。
「ELPAC HC-G系列」亦具有優異的長期可靠性。經過150℃、500小時的可靠性評估結果顯示，HC-G系列的介電常數與介電損耗均維持較低數值。由於具有高可靠性，可望適用於基地台等惡劣環境。