以MOCVD 在蝕刻過的藍寶石基板上成長氮化鎵薄膜

 

刊登日期:2005/10/5
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鑑於近紫外光發光二極體會因基板本身的線缺陷,而造成發光層中量子井的效率變差,乃使用PSS(Patterned-Sapphire Substrate)蝕刻過的藍寶石(Sapphire)基板,以MOCVD成長氮化鎵薄膜及發光二極體。在c-face 藍寶石基板分別沿著平行<11-20>GaN 及<1-100>GaN方向蝕刻出條狀的溝槽,成功的在平行<1-100>GaN方向成長出氮化鎵薄膜。在其上成長的發光二極體元件輸出功率及順向偏壓的表現都比直接在藍寶石基板來得佳。


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