鑑於近紫外光發光二極體會因基板本身的線缺陷,而造成發光層中量子井的效率變差,乃使用PSS(Patterned-Sapphire Substrate)蝕刻過的藍寶石(Sapphire)基板,以MOCVD成長氮化鎵薄膜及發光二極體。在c-face 藍寶石基板分別沿著平行<11-20>GaN 及<1-100>GaN方向蝕刻出條狀的溝槽,成功的在平行<1-100>GaN方向成長出氮化鎵薄膜。在其上成長的發光二極體元件輸出功率及順向偏壓的表現都比直接在藍寶石基板來得佳。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 日本東京NEPCON JAPAN、LIGHTING JAPAN & AUTOMOTIVE WORLD 2015特... 由LIGHTING JAPAN/NEPCON JAPAN 2014看LED照明/先進IC構裝材料與技... LIGHTING JAPAN & NEPCON JAPAN & AUTOMOTIVE WORLD 2014 特別報導... 從2013 SEMICON &LED Korea看SEMICON &LED最新發展趨勢 晶圓鍵合技術及其應用 熱門閱讀 日本打造先進半導體製造體系之觀察與分析 我國IC製造業大宗廢棄物資源化發展概況(上) 鑽石功率半導體材料,可望在電動車大放異彩 國際石化大廠在塑膠回收再利用之發展現況 全球化學產業減碳的發展方向與趨勢概論 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司