鑑於近紫外光發光二極體會因基板本身的線缺陷，而造成發光層中量子井的效率變差，乃使用PSS(Patterned-Sapphire Substrate)蝕刻過的藍寶石(Sapphire)基板，以MOCVD成長氮化鎵薄膜及發光二極體。在c-face 藍寶石基板分別沿著平行<11-20>GaN 及<1-100>GaN方向蝕刻出條狀的溝槽，成功的在平行<1-100>GaN方向成長出氮化鎵薄膜。在其上成長的發光二極體元件輸出功率及順向偏壓的表現都比直接在藍寶石基板來得佳。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 《工業材料雜誌》2024年十一月號推出「光電元件材料溶液製程技術」... 日本東京NEPCON JAPAN、LIGHTING JAPAN & AUTOMOTIVE WORLD 2015特... 由LIGHTING JAPAN/NEPCON JAPAN 2014看LED照明/先進IC構裝材料與技... LIGHTING JAPAN & NEPCON JAPAN & AUTOMOTIVE WORLD 2014 特別報導... 從2013 SEMICON &LED Korea看SEMICON &LED最新發展趨勢 熱門閱讀 2026 Battery Japan-全球電池市場及技術分析 潮流發電邁向商用化，九州電力佈局離島能源新解方 3M低銥觸媒量產，推動PEM水電解低成本化與普及 從2026日本奈米展看材料發展 東北大學解明Janus 2D材料合成機制，可望加速次世代半導體開發 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司