n型聚合物半導體之電子遷移率提升5倍以上

 

刊登日期:2022/3/30
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廣島大學與東京大學、物質材料研究機構(NIMS)、高輝度光科學研究中心(JASRI)開發了一項可望促進電子傳輸性聚合物半導體高性能化之新型π電子系骨架(π-electron System Skeleton)。

此次研究團隊致力於開發具有無空間位阻之新型亞醯胺基(Imide Group)的π電子系骨架。透過合理設計、合成具有亞醯胺基的新π電子系骨架,成功開發出具有高電子受容性與高度有序排列結構的聚合物半導體「PNPI2T-oF2」。此外,利用「PNPI2T-oF2」製作之有機電晶體元件的電子遷移率為0.7cm2/Vs,與使用基準材料製成的元件相比,電子遷移率提高了5倍以上,呈現出與非晶矽同等的性能。

今後透過對PNPI2T-oF2的化學結構予以最佳化,將可望能進一步提高電子遷移率。目前研究團隊也正在評估將此次開發的聚合物半導體應用於有機薄膜太陽電池、有機熱電轉換元件等用途,期藉此促進IoT社會、低碳社會的實現。


資料來源: https://optronics-media.com/news/20220302/76542/
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