日本三菱化學開發了比既有製品更加大型且缺陷極少的氮化鎵(GaN)單晶基板，並將因應功率半導體用途，展開量產的準備。
隨著電動車(EV)、5G通訊等應用興起，對於功率半導體用途的GaN基板的需求也水漲船高。而三菱化學利用獨家開發的液相成長法「Super Critical Acidic Ammonia Technology； SCAAT」開發了4英吋的GaN基板。大尺寸且結晶缺陷極少為其特徵，與一般製品相比，結晶缺陷控制在100分之1～1000分之1左右。且原料的利用效率高，可望降低成本，目前日本國內廠商已開始進行採用評估。
三菱化學將在今年內展開SCAAT之GaN基板量產廠的新設計畫，預計2022年將高頻裝置用途的4英吋基板投入市場，並加速6英吋基板的開發，期早日應用於功率半導體市場。