隨著電子產品效能與功能的提升，銲錫凸塊的間距與尺寸亦逐漸縮小，因此流經其上的電流密度相對升高，於是電遷移效應將會是影響銲錫凸塊可靠性的關鍵因素之一。以高階元件而言，例如微處理器，其晶片上之銲錫凸塊通常是由高熔點的5Sn-95Pb與基板上的63Sn-37Pb相互接合。此種製程方式最大好處在於可以利用63Sn-37Pb的低熔點特性，在較低的溫度將晶片與有機基板做接合，以便降低成本。然而一般文獻上對此類型之銲錫組合的電遷移效應探討並不多見。因此，本研究將針對5Sn-95Pb/63Sn-37Pb之銲錫凸塊的電遷移行為作一完整的探討。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 錫鉛銅與錫鉛鎳覆晶銲錫凸塊之電遷移現象 無鉛銲錫之可靠度試驗 花王拓展功率半導體化學品事業，開發出接合材料用銅微粒子 可減少半導體損壞的低熔點無鉛合金焊料 適用於車用功率半導體之高耐熱無鉛合金 熱門閱讀 半導體用抗反射層材料 半導體用光酸材料技術 次世代EUV帶來半導體光阻開發挑戰，日化學企業加速展開新材料佈局 「10分鐘內」超急速充電技術進展有成，全固態電池最受青睞 半導體用高解析光阻劑 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司