濺鍍靶材接著之超音波C 式掃瞄檢測

 

刊登日期:2003/9/5
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本文中,利用超音波脈衝回波法之C式掃瞄(C-scan)來檢測靶材/背板界面之接合狀況,採用兩種掃瞄方式,其一是從背板側掃瞄,另一則是從靶材側掃瞄。將反射訊號之波串閘(Gate)設在接合處以顯示其C式掃瞄影像,當脈波到達界面時,在界面處會產生部份反射與部份穿透,如果界面處有孔洞或剝離,其對應之音波反射訊號會較正常處來得強或弱,因此,從兩側之C式掃瞄影像便可得知脫層之位置和尺寸。本研究之靶材皆為矽,而背板則分別為鉬和銅,錫焊材料為銦。實驗結果顯示有三種型式之缺陷,其一是孔洞,其二是背板/銦之剝離,其三是靶材/銦處之剝離。對於孔洞,兩側影像較強之反射訊號皆可顯示此缺陷之存在。但是對於剝離,由於剝離區靶材/銦或背板/銦界面之粗糙度可能導致超音波之散射現象,因此降低了界面處之反射訊號,如果僅從單側來作C式掃瞄,此散射現象會造成誤判剝離區為正常區,為了避免誤判,有必要綜合兩側之脈衝回波掃瞄影像來作判斷。
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