本文中,利用超音波脈衝回波法之C式掃瞄(C-scan)來檢測靶材/背板界面之接合狀況,採用兩種掃瞄方式,其一是從背板側掃瞄,另一則是從靶材側掃瞄。將反射訊號之波串閘(Gate)設在接合處以顯示其C式掃瞄影像,當脈波到達界面時,在界面處會產生部份反射與部份穿透,如果界面處有孔洞或剝離,其對應之音波反射訊號會較正常處來得強或弱,因此,從兩側之C式掃瞄影像便可得知脫層之位置和尺寸。本研究之靶材皆為矽,而背板則分別為鉬和銅,錫焊材料為銦。實驗結果顯示有三種型式之缺陷,其一是孔洞,其二是背板/銦之剝離,其三是靶材/銦處之剝離。對於孔洞,兩側影像較強之反射訊號皆可顯示此缺陷之存在。但是對於剝離,由於剝離區靶材/銦或背板/銦界面之粗糙度可能導致超音波之散射現象,因此降低了界面處之反射訊號,如果僅從單側來作C式掃瞄,此散射現象會造成誤判剝離區為正常區,為了避免誤判,有必要綜合兩側之脈衝回波掃瞄影像來作判斷。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 新世代電子顯微鏡試片製備技術在強介電陶瓷薄膜與高儲能材料之實務... CPU 散熱鰭片之超音波檢測 前瞻觸媒材料開發所需之高階檢測技術(下) 前瞻觸媒材料開發所需之高階檢測技術(上) 先進DBFIB/FETEM 之檢測技術應用在奈米材料、相變化記憶體與顯示器... 熱門閱讀 半導體產業廢硫酸純化再利用 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 新穎5G軟性基板材料開發與應用 從2024 ICEP看國際半導體先進封裝技術 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司