新有機互補金屬氧化物半導體

 

刊登日期:2017/3/16
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由東京大學、TOPPAN FORMS、JNC等所組成的研究團隊,日前發表利用新印刷電路形成方法開發了一項新有機互補金屬氧化物半導體( Complementary Metal-Oxide-Semiconductor;CMOS )電路。與既有產品相比,利用新的薄膜形成技術在薄膜上達到了加快 1位數之高論理演算速度,積集數千個以上的電晶體( Transistor )。由於可應用於可撓式溫度感測器所構成之非接觸通訊式溫度管理用電子標籤(Tag),將可望促進價格僅須 1/10,且性能增加 10倍之物流管理用高機能 RFID標籤的實用化。

研究團隊進行溶液塗佈使其「塗布單晶化」,進而開發出高移動度的有機半導體電路。以正反器( Flip-flop)回路實現了 0.5MHz 的高速動作,以及不仰賴 p型、n型層進行積層微細化之新集積手法。且開發了利用於可撓式溫度感測器或有機 CMOS之多類比數位轉換器( Bit A/D Converter )電路,並已確認可以構成不須接觸就可進行通訊的電子標籤。


資料來源: 化學工業日報 /材料世界網編譯
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