氧化鉿鐵電基礎特性解明

刊登日期:2016/10/20
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一般鐵電 ( Ferroelectrics ) 薄膜化之後,其特性有劣化之虞,致使儲存記憶體很難做到高密度化。雖然氧化鉿 ( Hafnium Oxide ) 基之鐵電在薄度與特性上能同時並存,但因其多晶體結構且存在不純物相,因此物性解明有其困難度,以致於難以邁向實用化。
 
由日本東京工業大學與東北大學等組成的研究團隊在日前發表了氧化鉿基鐵電之基礎特性研究結果,主要是將氧化鉿基材的結晶層構造進行調整,控制結晶方位,製作出厚度 15nm的單晶薄膜。此外,透過基礎特性、鐵電特性等試驗得知,鐵電具有 400℃仍能安定存在的良好溫度特性。此研究結果未來可望應用於電晶體的低耗電化、鐵電之高容量化惰性記憶體、阻抗變化記憶體的開發。

資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯
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