一般鐵電 ( Ferroelectrics ) 薄膜化之後，其特性有劣化之虞，致使儲存記憶體很難做到高密度化。雖然氧化鉿 ( Hafnium Oxide ) 基之鐵電在薄度與特性上能同時並存，但因其多晶體結構且存在不純物相，因此物性解明有其困難度，以致於難以邁向實用化。 由日本東京工業大學與東北大學等組成的研究團隊在日前發表了氧化鉿基鐵電之基礎特性研究結果，主要是將氧化鉿基材的結晶層構造進行調整，控制結晶方位，製作出厚度 15nm的單晶薄膜。此外，透過基礎特性、鐵電特性等試驗得知，鐵電具有 400℃仍能安定存在的良好溫度特性。此研究結果未來可望應用於電晶體的低耗電化、鐵電之高容量化惰性記憶體、阻抗變化記憶體的開發。 資料來源: 化學工業日報 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 由ISSCC 2024看半導體發展趨勢與記憶體運算技術探討 Patentix等成功地利用次世代半導體材料r-GeO2在SiC成膜 世界首項雙層電晶體畫素積層型CMOS影像感測技術 以一階段完全精密合成石墨烯奈米帶之新技術 使白金薄膜具備半導體性質的新技術 熱門閱讀 從 Battery Japan 2024看鋰電池與儲能產業發展 半導體產業廢硫酸純化再利用 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 探索來自天際的能源，夢想中的太空太陽能發電 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司