隨著半導體的高密度化、高速化，低電容率及高機械強度的材料需求提高。為此，日本 Tosoh 公司運用沸石的分子設計技術，開發出用於半導體的低電容率介層絕緣膜材料。這項材料擁有高電漿耐性，且經元件製程後，除了電容率維持在 2.55 以外，機械強度亦保持在彈性率 7 Gpa的最高水準。此外僅需紫外線照射即可成膜，因此工時大幅縮短。
做為觸媒的沸石需要高機械強度及安定的結構性，因此這項開發除了無機化學的工法以外，也採用有機矽化學，並注入開發 CVD材料、ALD材料時所累積的知識。該公司亦運用開發絕緣膜時使用的分子設計技術，開發出能夠形成不透水的阻氣性矽膜的材料。這是以 CVD製程形成的材料，水蒸氣透過性為每日 10-4g/m2 比既有的六甲基二硅氧烷所形成的薄膜更為優異，且具有良好的彎曲性，適用於可撓性顯示器。