早稻田大學的川原田洋教授等人所組成的研發團隊，利用人工合成的鑽石開發出可耐高溫、高壓的功率半導體。相較於既有的矽膠製產品只能承受 200℃，而且需冷卻裝置以防迴路破損、甚至爆走，新的功率半導體最高溫度可耐 400℃，最高電壓可耐 1,600V。該研究目前尚在起步階段，但可望超越碳化矽、氮化鎵等競爭材料。
電車及電動汽車等的馬達中裝有逆變器( Inverter )，逆變器中使用了功率半導體來控制電流迅速開關及馬達的轉速等。而開/關時必須要放行/阻擋電流，因此該零件需要可承受高壓的材料。鑽石對熱及電的傳導極佳，且可承受高溫，是相當理想的功率半導體材料，但實際製作起來卻有困難。
研究人員針對將鑽石膜與不導電的絕緣膜一層一層堆疊的工程，進行原料改良及溫度管理，提升了鑽石與絕緣體接觸面的性質，成功使開啟時的可耐溫度提升到 400℃，可耐電壓提升到 1,600V，通過電流約 100mA。由於鑽石的優異性能，可在低耗損的前提下轉換電力，可望大幅提升功率半導體的省能功能。