新一代能源半導體接合技術

刊登日期:2014/3/20
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日亞化學與日本大阪大學開發新一代能源半導體接合技術,採用銀薄膜接合碳化矽能源半導體與銅基板,在半導體進行銀蒸著後,加熱至攝氏250℃貼附在基板上。以往需施加壓力與半導體接合,易導致配線損傷,新技術則不需加壓;此外,碳化矽半導體在電力變換時會產生約攝氏250℃的熱能,以往的錫接合劑遇熱會變得柔軟導致接合不安定,銀薄膜則可耐高溫,不會有過熱的問題,新技術可降低直流、交流切換時電力損失,其耐高溫、不須加壓等特性可提高產品良率,預計可應用於家電、鐵路與汽車等。

資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯
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