晶片接合技術在鏡面基板高亮度發光二極體之應用

刊登日期:2001/5/5
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為解決可見光發光二極體(Light-Emitting Diode; LED)基板吸光之問題,一種高亮度LED 製程─即結合反射鏡與晶片黏貼技術之概念,將一具反射鏡之基板,利用晶片黏貼技術以低溫、短時間熱處理,黏貼至LED 磊晶膜上,而後再將會吸光之GaAs 基板去除。反射鏡材料選擇為廣泛應用於LED 之P 型歐姆接觸材料AuBe 合金,由於AuBe 合金低蒸氣壓、高融點、高表面原子擴散速率,因此其於此製程中不僅完成歐姆接觸,且當作LED 與永久基板之附著層,更重要的是其能當作反射鏡之功能,經具體驗證後其亮度較具GaAs 吸光基板顯著改善,又由於低溫、短時間熱處理,LED 電特性仍可保有原先黏貼前LED 一樣之電性。於永久基板之選擇,是以矽基板來當作永久基板,由於矽基板之熱導係數為原先砷化鎵基板之3 倍,是散熱很好之永久基板,經晶片黏貼技術之研發,克服矽基板與LED 材料熱膨脹係數不同而引發之熱應力問題,目前已可成功製作出高反射率且散熱良好之超高亮度LED 。
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