日本東北大學與產業技術總合研究所、關東化學等機構合作，以在表面粗糙的金(Au)鍍膜上堆疊平滑金薄膜的手法開發出附加式平滑化新技術。具體而言係將表面活性化技術與模板去除技術(Template Stripping)結合，藉此實現了無需研磨程序的金鍍膜平滑化並達到常溫接合的技術。
為避免熱能帶來的損害或殘留應力，次世代小型電子元件的封裝製程對於低溫接合技術有其需求。利用金鍍膜的接合技術廣泛用於電氣性連接與密封，但為了減少對元件的負荷必須儘可能降低接合製程的溫度。然而，接合面平滑度低則容易產生縫隙，但為了提升密合性又須利用高溫與壓力，因而產生矛盾。
為了降低接合製程的溫度，即須搭配接合面的平滑化技術。尤其是不耐熱的材料或熱膨脹係數差大的組合等用途，接合溫度必須降低至常溫等級，為此須達到原子等級的平滑接合面。過往採用研磨去除加工以達到接合面的平滑化，但狹小面積及複雜形狀的平滑化仍是一項課題。
這次的研發中結合了表面活性化接合與模板剝離(Template Stripping)兩項技術，進而開發出在粗糙的金鍍膜上轉印平滑的金薄膜，並透過附加加工達到平滑化之新技術。這項技術透過表面活性化接合，把其他模板上成型的金薄膜轉印到金鍍膜上，原本粗糙的金鍍膜表面因為金薄膜反覆轉印，實現了表面的平滑化。
這是由於聚醯亞胺(PI)製模板的奈米級形變與金的原子擴散，金鍍膜的凹凸被吸收所致。經實證得知充分平滑化後的金鍍膜不需要加熱，即可達成常溫下的堅固結合。另外，研發人員在平滑化後的金鍍膜上常溫接合矽(Si)晶片製作出樣本並進行切斷強度測試，發現最先被破壞的是矽晶片而非轉印的金薄膜，可知常溫接合地非常牢固。
這次的研發成果是一項可省略研磨等去除加工步驟、以附加加工為基礎的平滑化技術。由於可做為電子元件製程中廣泛使用之金鍍膜的平滑化技術與常溫接合之應用，可望有助於今後電子封裝技術的發展。