日本山形大學與宇部興產公司共同開發出可溶於有機溶媒的全新N型有機半電晶體。新材料的電子移動度超過3cm2/Vs，並且為全球首度成功地在空氣中以印刷法製作N型有機電晶體。
雖然N型材料遇水及氧有劣化的疑慮，因此即使被用於電子元件上也很難維持電子特性，但山形大學研究團隊以改變分子構造設計解決了劣化問題，製作有機CMOS回路時需使用4個P型材料，但若採用N型材料只需要2個，可實現電子回路高集積化，並且省下一半的耗電量。
藉由此新技術便能夠以價格低於結晶矽等無機材料製品之際，生產更輕量柔軟的積體電路(IC)，以及應用於RFID tag、可撓式感測器、可撓式面板等領域。目前研究團隊除了正在進行電晶體元件構造最佳化以及CMOS電路試作之檢討作業外，也嘗試進一步改善新材料的移動度與溶解性，並以更容易使用之有機半導體為目標進行分子構造改良計畫。
資料來源：
1. 日經產業新聞
2. http://www.ube-ind.co.jp/japanese/news/2013/20140218_01.htm