NTT-AT成功地觀察到石墨烯薄膜斷面結構

 

刊登日期:2011/10/24
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石墨烯為奈米碳管、石墨等原材料,最近因為具有高導電率、高機械強度、高穩定性等特點而被視為半導體材料的後起之秀。在碳化矽基板生成的石墨烯可發揮出電晶體之性能,然而其電子狀態卻會因為界面構造而產生變化。
 
以往想要觀察碳化矽與石墨烯界面之斷面結構是相當困難的。這次日本NTT-AT研究團隊不以剝離、破壞石墨烯的方式進行研究,而是以獨家的手法將測試材料進行前置作業,然後利用高分辨穿透式電子顯微鏡(High Resolution Transmission Electron Microscope,HRTEM )成功地觀察到石墨烯薄膜之斷面結構。
 
今後研究團隊將進行更詳細的研究,並且以大學、國立研究機構、半導體業者等為對象,針對此一全新的斷面觀察手法進行提案討論。

資料來源: 化學工業日報/材料新聞網編譯
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