可望做為次世代功率半導體材料而備受關注之氮化鎵(GaN)基板的開發競爭日漸激烈，為達到世界領先地位並取得成果，日本企業加速展開GaN基板的開發。近年來，大直徑產品的需求日益明顯，各公司亦競相建立大直徑產品的量產技術。住友化學在用於投影機等設備之雷射二極體的GaN自支撐基板方面為市佔第一，並計劃利用在結晶生長、加工方面積累的技術與實績，擴大在功率半導體領域的事業規模。
住友化學利用氫化物氣相磊晶法(HVPE)生長GaN結晶。在雷射應用方面，主要為2吋產品；在功率元件方面，則已建立了4吋產品的量產技術。此外，為了因應大直徑產品的需求，目前正在加速推動6吋產品的開發，並已著手展開商用樣品供應，將在建立量產技術的同時強化市場行銷。此外，住友化學也在推動垂直型GaN on GaN的開發。與在矽基板上形成的水平型相比，垂直型允許電流垂直方向流動，適合高電壓或大電流。
三菱化學集團也正在開發採用HVPE方法製造的雷射用2吋產品，並以其低缺陷為優勢，銷售量持續增加。另在功率半導體用途方面，三菱化學利用日本製鋼所旗下的實證設備，投入於利用低壓酸性氨熱製造法之結晶生長量產技術的開發。此外，三菱化學已計畫於2025年展開採用氨熱法結晶生長之6吋產品的樣品供應，且加快8吋產品的開發，並預計於2020年代後半獲得採用。
為了加速商用化，三菱化學也開始投入不同技術的開發，例如與豐田合成、Panasonic等合作，推動利用鈉助熔劑法(Sodium Flux)製造種晶，並以氨熱法進行結晶生長之量產技術的開發。另一方面，在高亮度LED方面擁有良好實績的NGK Insulators也計畫將其適用於功率半導體，並將儘早建立大直徑產品的量產體制。信越化學工業則經手GaN結晶生長用複合材料「QST基板」，已於9月成功實現12吋產品的大型化，並已開始供應樣品。