日本EDP公司成功地實現了高硼濃度鑽石基板的大型化，並推出了低電阻基板10×10×0.2 mm雙面研磨「RB10102PP」、低電阻微型晶圓「RB13R2PP」等大型低電阻基板製品。新製品為尺寸7×7 mm以上、高濃度硼摻雜之低電阻大型獨立基板，與該公司的低電阻鑽石基板具有相同的基本特性。
EDP基於2023年8月商品化的高濃度硼摻雜磊晶層(單晶層)基板的技術開發實績，成功地達成了高濃度硼鑽石低電阻基板的大型化。雖然該公司2023年時推出了摻雜高濃度硼之低電阻鑽石獨立基板以及在一般基板上形成薄膜的磊晶生長基板等2種類型的基板，但在商品化階段的尺寸僅7×7 mm，面積上仍不足以進行大型元件開發或在單一基板上製作多個元件。此次EDP使用了2023年11月開發的15×15 mm單結晶，擴大了低電阻基板的面積並將其商品化。
新製品的特點是硼含量為2～4×1020/cm3，電阻值為20 Ωcm以下。形狀規格為邊長2～13 mm的正方形(也可以是圓形晶圓)，在適用尺寸範圍內可以0.1 mm的增量予以指定，形狀誤差為-0、+0.2 mm。厚度規格範圍為0.1～0.2 mm，厚度精度為-0、+0.05mm。面方位在(100)面上有約3度的偏離角(off-angle)，表面狀態為雙面研磨(Ra<5 nm或<2 nm)。
利用此次開發的大型低電阻基板製品將可望推動大型元件的試作或相關評估，並可製作出直徑12.5 mm的微型晶圓。藉此若使用對應的設備將可穩定地製造元件。由於都是單結晶，因此面內特性將可維持一致。
今後EDP計劃繼續投入各種基板與晶圓的商品化，並致力單結晶更進一步的大型化以及連接大型單結晶之馬賽克狀晶圓大型化的開發。隨著元件開發的進展，其上形成各種磊晶膜的基板亦將成為必要，因此除了擴充磊晶基板之外，EDP也將投入有助於量子元件開發之基板研究。