透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide; TCO)被使用於工業方面已超過50年。TCO 是一種寬能隙半導體（能隙大於可見光範圍），為可透光及可導電兩種特性混合的材料。其中最為知名的為In2O3再摻雜Sn形成ITO，及氧化鋅摻雜鋁、鎵、銦(Al、Ga、In)。ITO 及ZnO薄膜對可見光透光率可大於80%，同時摻雜後電阻係數可達10-4?cm等級，而被廣泛應用於光電產業，如液晶平面顯示器LCD、太陽能電池等。在提高透光率與導電性能上，我們亟需瞭解最基本的摻雜後之In2O3和ZnO晶體特性，由於其電子能帶結構很少被討論，因此我們使用密度泛函(Density Functional Theory)全始計算方法，來研究In2O3晶體摻雜Sn 和ZnO摻雜Al、Ga、In、Si、Ti後的能帶結構變化。結果顯示，摻雜前後之主要電子能帶結構仍維持不變，只有費米能階往傳導帶移動。這種費米能階的移動提供了導電性，同時也維持透光性的解釋。另外也比較ZnO 摻雜Al 、Ga 、In 和Si 後之晶體能量，以ZnO 摻雜Al 為最低，而摻雜一個Si 的效果等同於摻雜兩個Al 。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 金屬奈米團簇量子分子動力計算 量子化學計算 分子動力學計算 多尺度模擬技術 材料奈米檢測技術規畫與發展 熱門閱讀 從2025日本智慧能源週看氫能技術的最新進展 日東紡開發廢太陽能板玻璃再生纖維，拓展再利用新途徑 先進電子構裝材料研究組於高頻、高導熱、封裝與高解析電子材料技術... 《工業材料雜誌》1月刊 四十周年特刊，集結14項領域技術共同展現材料... 橡塑膠反應押出之深度學習建模優化 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司