日本東北大學研究團隊結合了微細加工與結晶成長技術，利用石墨烯（Graphene）開發出極小電路體積之 LSI，在矽基板上自碳元素成長石墨烯電路。 首先讓矽基板表面氧化並塗上感光性樹脂（Resist）描繪出電路形狀，再照射電子線形成電路，照射到電子線的地方以化學處理開孔，以鎳進行全面蒸著，除去 Resist 後形成鎳金屬的電路形狀，緊接著以 900℃ 加熱，進行 Plasma 化學氣相成長法（CVD），接觸到甲烷氣體（Methane）時，鎳金屬中自甲烷分離的碳元素便分散融化，冷卻後浮現出長 50~100nm，支撐著鎳金屬兩端的石墨烯，在這次實驗中，成功在長寬 2公分的基板上成長 100萬條寬 6.9nm 的細長石墨烯。 以新技術製作出的石墨烯是類似橋腳的構造，受到外部微小的溫度變化刺激或是電磁波震動即可發電，也可反過來以電流產生震動，能應用於不須外部電力的感應器。該新技術若結合東京農工大學與東北大學共同開發的，包含電子電路只照射一次電子線的技術，可望突破目前微細化僅到 10nm 的限制，製作出 5nm大小的半導體或配線。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 可實現線寬7.6nm半導體微細加工之高分子嵌段共聚物 探索未來科技的基石—化合物半導體引領新世代電子革命 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 氧化鎵長晶技術發展與應用 熱門閱讀 從 Battery Japan 2024看鋰電池與儲能產業發展 半導體產業廢硫酸純化再利用 化合物半導體材料市場與應用導論 碳化矽晶體成長技術發展 探索來自天際的能源，夢想中的太空太陽能發電 相關廠商 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司