日亞化學與日本大阪大學開發新一代能源半導體接合技術，採用銀薄膜接合碳化矽能源半導體與銅基板，在半導體進行銀蒸著後，加熱至攝氏250℃貼附在基板上。以往需施加壓力與半導體接合，易導致配線損傷，新技術則不需加壓；此外，碳化矽半導體在電力變換時會產生約攝氏250℃的熱能，以往的錫接合劑遇熱會變得柔軟導致接合不安定，銀薄膜則可耐高溫，不會有過熱的問題，新技術可降低直流、交流切換時電力損失，其耐高溫、不須加壓等特性可提高產品良率，預計可應用於家電、鐵路與汽車等。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 新型DLC薄膜成型技術 強度1.7倍且毋需接著劑、不易剝落的鋁與碳素纖維之接合技術 耐久性提高40倍以上的觸控面板用抗反射薄膜 新開發5G用透明天線薄膜 新開發蛾眼型薄膜具超低反射性及防眩光機能 熱門閱讀 先進半導體構裝之封裝與IC載板材料市場趨勢 日本2050「碳中和」發展規劃 — 氫能、風電篇 疫情後，塑膠循環再利用之發展方向 6G通訊酬載無線通訊之散熱技術趨勢 先進封裝之互聯材料技術 相關廠商 台灣大金先端化學股份有限公司 昂筠國際股份有限公司 名揚翻譯有限公司 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 東海青科技股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 里華科技股份有限公司