日亞化學與日本大阪大學開發新一代能源半導體接合技術，採用銀薄膜接合碳化矽能源半導體與銅基板，在半導體進行銀蒸著後，加熱至攝氏250℃貼附在基板上。以往需施加壓力與半導體接合，易導致配線損傷，新技術則不需加壓；此外，碳化矽半導體在電力變換時會產生約攝氏250℃的熱能，以往的錫接合劑遇熱會變得柔軟導致接合不安定，銀薄膜則可耐高溫，不會有過熱的問題，新技術可降低直流、交流切換時電力損失，其耐高溫、不須加壓等特性可提高產品良率，預計可應用於家電、鐵路與汽車等。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 新型DLC薄膜成型技術 強度1.7倍且毋需接著劑、不易剝落的鋁與碳素纖維之接合技術 耐久性提高40倍以上的觸控面板用抗反射薄膜 新開發5G用透明天線薄膜 新開發蛾眼型薄膜具超低反射性及防眩光機能 熱門閱讀 「Touch Taiwan 2022」現場報導系列一 「Touch Taiwan 2022」現場報導系列二 磷酸鋰鐵(LiFePO4)4680電池， 昇陽已經準備好了 車用顯示面板發展趨勢 邁向全固態鋰電池：固態電解質之傳輸動力學 相關廠商 金屬3D列印服務平台 名揚翻譯有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 東海青科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 台灣鑽石工業股份有限公司 科邁斯科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 里華科技股份有限公司