日亞化學與日本大阪大學開發新一代能源半導體接合技術，採用銀薄膜接合碳化矽能源半導體與銅基板，在半導體進行銀蒸著後，加熱至攝氏250℃貼附在基板上。以往需施加壓力與半導體接合，易導致配線損傷，新技術則不需加壓；此外，碳化矽半導體在電力變換時會產生約攝氏250℃的熱能，以往的錫接合劑遇熱會變得柔軟導致接合不安定，銀薄膜則可耐高溫，不會有過熱的問題，新技術可降低直流、交流切換時電力損失，其耐高溫、不須加壓等特性可提高產品良率，預計可應用於家電、鐵路與汽車等。 資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 新型DLC薄膜成型技術 強度1.7倍且毋需接著劑、不易剝落的鋁與碳素纖維之接合技術 耐久性提高40倍以上的觸控面板用抗反射薄膜 新開發5G用透明天線薄膜 新開發蛾眼型薄膜具超低反射性及防眩光機能 熱門閱讀 晶片級散熱機制簡介 從K 2025看紡織用高分子技術與發展趨勢：從物理特性到數位生命週期 循環經濟下的綠色氫能：有機廢棄物產氫技術、材料應用與永續評估 氨裂解產氫技術發展現況與趨勢 氨作為氫載體的零排放能源應用研究進展 相關廠商 新加坡商英彼克有限公司台灣分公司 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 高柏科技股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司