新一代能源半導體接合技術：材料世界網

日亞化學與日本大阪大學開發新一代能源半導體接合技術，採用銀薄膜接合碳化矽能源半導體與銅基板，在半導體進行銀蒸著後，加熱至攝氏250℃貼附在基板上。以往需施加壓力與半導體接合，易導致配線損傷，新技術則不需加壓；此外，碳化矽半導體在電力變換時會產生約攝氏250℃的熱能，以往的錫接合劑遇熱會變得柔軟導致接合不安定，銀薄膜則可耐高溫，不會有過熱的問題，新技術可降低直流、交流切換時電力損失，其耐高溫、不須加壓等特性可提高產品良率，預計可應用於家電、鐵路與汽車等。

資料來源: 日經產業新聞 / 材料世界網編譯

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