■ 舉辦時間 : 2024/4/25 (四) 09:30 - 17:30
■ 舉辦地點：台北南港展覽館1館5樓505a+b會議室 (台北市南港區經貿二路1號)
■ 主辦單位：台灣電子設備協會(TEEIA)、國立臺灣大學工學院(NTU)
■ 論壇議程：
上午場：化合物半導體在現代技術中的關鍵角色
|
時間
|
演講主題
|
主講人
|
|
09:30 - 09:40
|
主辦單位致詞
|
林士青 / 台灣電子設備協會 理事長
李坤彥 / 台灣大學工學院 教授
|
|
09:40 - 10:10
|
應用第三代化合物半導體GaN在PFC上的效率提升，容易產生EMI的問題和解決方案
|
陳宗鼎 / 羅姆半導體股份有限公司
技術中心 副總經理
|
|
10:10 - 10:40
|
碳化矽晶圓老化
|
尤進德 / Pentamaster Instrumentation Sdn. Bhd. 營運長
|
|
10:40 - 11:10
|
The SiC power devices for the fast charger
|
李坤彥 / 碳矽電子股份有限公司 創辦人
|
|
11:10 - 11:40
|
GaN or SiC? GaN & SiC? WBG is the future
|
魏致祺 / 英飛凌科技股份有限公司 資深協理
|
|
11:40 - 12:10
|
COHERENT 化合物半導體的沿革與願景
|
林育廷 / 新加坡商科希倫股份有限公司 業務經理
|
|
12:10 - 12:40
|
團導導覽-化合物半導體供應鏈館
|
下午場：化合物半導體技術應用和創新
|
時間
|
演講主題
|
主講人
|
|
13:40- 13:45
|
貴賓致詞
|
郭浩中 / 國立陽明交通大學 教授
|
|
13:45- 14:15
|
Semiconductor equipment market and
technologies for the production of SiC
devices
|
Taguhi YEGHOYAN PhD.
/Yole Intelligence
|
|
14:15 - 14:45
|
Ga2O3 Single Crystal Wafers for Power Device Applications
|
倉又 朗人CEO
/Novel Crystal Technology, Inc
|
|
14:45 - 15:15
|
電漿拋光解決方案應用於電力的Epi製備SiC
|
Ian Wright VP, 銷售與業務開發, 亞洲區 /英商牛津儀器海外行銷公司
|
|
15:15 - 15:45
|
與第一代機型比產能提高了3倍的SiC電力電子器件製造用高溫離子注入機IMPHEAT-II
|
趙維江 / 日新離子機器株式会社 技術經理
|
|
15:45 - 16:00
|
產業交流茶歇
|
|
16:00 - 16:30
|
TBD
|
聯訊儀器
|
|
16:30 - 17:00
|
TCAD tools for wide bandgap Power device development
|
David Mawby Director and Co-Founde
/KuasaSemi Ltd
|
|
17:00 - 17:20
|
Wrap-Up and Closing Remarks
|
葉錫勳 / 美商科磊股份有限公司 業務處長
|
■ 論壇費用
原價：每人$8,000元，費用含稅（請勿扣除郵資或手續費）、講義。不提供午餐。
【早鳥優惠】
即日起至4/7當天17:00前報名且完成繳費者。
會員享早鳥優惠價每人$3,000元；非會員享早鳥優惠價每人$4,000元。
■ 線上報名：https://www.teeia.org.tw/zh-tw/News/1130425/342
■ 聯絡窗口：
台灣電子設備協會(TEEIA)
電話：(02)2729-3933 #12
聯絡人：林小姐 (Doris)
E-mail：doris@teeia.org.tw