隨著高功率氮化鎵藍光LED晶粒的發展,靜電放電(ESD)對於成長在絕緣藍寶石(Al2O3)基板上水平結構之LED晶粒所造成的傷害,已成為相當重要的議題。本文將探討藍光氮化鎵LED在不同靜電放電情形下的耐受性,並分析其失效原因及容易造成失效的位置。由於靜電放電傷害發生在極短時間之內,難以即時觀測其失效情形。經由SEM、TEM及AFM等實驗分析,結果證明, LED 的V 形缺陷及表面形貌和靜電放電破壞有關連性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 京瓷開發出GaN系微光源基板與新工法,實現100μm長雷射振盪 發現有機-無機金屬鹵化物鈣鈦礦新構造,可望促進半導體照明更有效率... 高品質、大尺寸之氮化鎵結晶製造技術 全球最高水準深紫外LED 兼具高反射率與高耐熱性的LED反射材料 熱門閱讀 我國IC製造業大宗廢棄物資源化發展概況(上) 鑽石功率半導體材料,可望在電動車大放異彩 國際石化大廠在塑膠回收再利用之發展現況 全球化學產業減碳的發展方向與趨勢概論 我國IC製造業大宗廢棄物資源化發展概況(下) 相關廠商 金屬3D列印服務平台 大東樹脂化學股份有限公司 友德國際股份有限公司 喬越實業股份有限公司 方全有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 正越企業有限公司 桂鼎科技股份有限公司 里華科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 銀品科技股份有限公司