隨著高功率氮化鎵藍光LED晶粒的發展，靜電放電(ESD)對於成長在絕緣藍寶石(Al2O3)基板上水平結構之LED晶粒所造成的傷害，已成為相當重要的議題。本文將探討藍光氮化鎵LED在不同靜電放電情形下的耐受性，並分析其失效原因及容易造成失效的位置。由於靜電放電傷害發生在極短時間之內，難以即時觀測其失效情形。經由SEM、TEM及AFM等實驗分析，結果證明， LED 的V 形缺陷及表面形貌和靜電放電破壞有關連性。 Download檔案下載 加入會員 分享 轉寄 聯絡我們 延伸閱讀 京瓷開發出GaN系微光源基板與新工法，實現100μm長雷射振盪 發現有機-無機金屬鹵化物鈣鈦礦新構造，可望促進半導體照明更有效率... 高品質、大尺寸之氮化鎵結晶製造技術 全球最高水準深紫外LED 兼具高反射率與高耐熱性的LED反射材料 熱門閱讀 玻璃基板上TGV的金屬化製程 玻璃成孔技術發展現況 半導體用抗反射層材料 玻璃通孔(TGV)之電鍍銅金屬化處理及其微結構改質 半導體用光酸材料技術 相關廠商 台灣石原產業股份有限公司 金屬3D列印服務平台 山衛科技股份有限公司 高柏科技股份有限公司 喬越實業股份有限公司 正越企業有限公司 照敏企業股份有限公司 台灣永光化學股份有限公司 桂鼎科技股份有限公司 台灣大金先端化學股份有限公司 大東樹脂化學股份有限公司 志宸科技有限公司