MEMS技術發展趨勢

 

刊登日期:2009/11/25
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MEMS加工技術在半導體封裝之應用
以目前趨勢看來,將MEMS加工技術應用至半導體封裝中,將帶動LSI封裝技術的進步,為未來高積體化IC形成可行之路。另一方面也說明MEMS加工技術應用範圍開始擴大。

一、利用噴墨印表頭印製錫球
德國University of Freiburg的IMTEK(Institute of Microsystem Technology)發表,利用將Si基材,以DRIE (Deep Reactive Ion Etching)深掘加工製作矽噴墨印表頭,再利用已溶解的數十μm~數mm的微小金屬,由加工出之矽噴墨印表頭中以墨水形式噴出,印刷成直徑數十μm的錫球或配線。
此技術特點在於:
1.凸塊直徑可由噴頭大小控制,具有縮小的潛力,(目前為50~60μm),未來當進入10~20μm時可以使用。
2.低成本:因為使用噴墨印刷,不需再進行相關微影製程。

目前最受注目的是噴嘴流路部分的構造,新的設計將流路的剖面形狀設計為星型,據稱可使金屬通過時摩擦變少,雖是星形圖形,但金屬會因表面張力的關係,還是保持圓形。

其次,是在噴墨印表頭的結構上研發出不會讓金屬氧化的構造。其作法為利用泵提高氣體的壓力,並推擠液體使墨水噴出,由於氣體使用氮氣N2所以金屬不會氧化,此N2還兼負有切斷金屬墨水的功能,形成體積為nl(10-6cm3)左右微小體積的金屬噴印;當然也可以進行連續性的噴墨印製配線。除一般平面使用外,未來亦可在曲面上形成凸塊或配線時使用。

二、無Bonding Pad之引線接續
目前傳統接續IC電性,都需使用打線,來進行連接,因此必須在IC上製作Bonding Pad,以提供打線需求。但Israel Institute of Technology所發表之新法可以將其省略掉。其作法為利用MEMS加工技術,在矽基板上開孔,然後在此處插入Bonding Wire膨大的先端部(如圖四),使金線與基板孔洞相接合,如此可確保金線拉力的物理強度。

MEMS接合技術之應用開始擴大
MEMS為微機電系統,具有可動的微小元件,例如MEMS加速度感測器,即利用半導體製程結合MEMS加工技術,製作具微重量的單懸臂樑等感測結構。其中主要應用MEMS加工技術的是Si深掘蝕刻技術與矽晶圓的接合技術。
下面主要針對矽晶圓接合技術發展現況進行報導。原只為MEMS應用的接合技術,其其他用途已開始擴大,若以製程別來看,包括可應用於:
1.立體構造形成
2.迴路或結構體的密閉
3.以同質晶圓高容量化為目的之3次元積層
4.異質元件的接合
5.晶圓薄化時的機械性支撐
6.晶圓切斷時的輔助等應用

其中1與2為MEMS傳統用途。但隨著加速度感測器、壓力感測器、矽麥克風等MEMS元件市場的擴大,接合設備市場也隨之擴大。市場擴大結果,造成接合技術的接合精度上升,成本下降,進而造成新的應用開始擴大。
例如NAND型快閃記憶體晶片的積層(合乎上述的3和5項)及在基板(矽晶圓)上層疊化合物半導體(III-V族晶圓)的光/RF/Power Device的製造(合乎上述4)等用途的需求正在逐步提升中。其中替代硬碟的SSD(Solid State Drive)和記憶卡帶動了NAND型快閃記憶體層疊的需求。在照明領域市場快速擴大的LED則帶動了安裝化合物半導體的需求。

第5項的晶圓薄化,造成如Image Sensor的用途擴大。如Sony的高感度CMOS感測器採用BSI(背面照射)技術,其主要就是使用接合技術,形成穩定支撐,再將光感測器背面進行了薄化。其BSI型CMOS感測器將應用於數位相機、數位攝影機及附相機之手機鏡頭,這些用途可望成為應用接合技術的新商品。另在---本文節錄自材料世界網「材料最前線」專欄,更多資料請瀏覽下方附檔。


圖五、電容式加速度感測器製程

作者:材網編輯室 / 工研院材化所
★完整檔案內容請見下方附檔


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